刻蝕造句

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刻蝕造句

1、刻蝕工藝的分辨率是圖形轉(zhuǎn)移保真度的量度。

2、并且詳細論述離子刻蝕的原理以及離子源的參數(shù)設(shè)計。

3、傳統(tǒng)的干法刻蝕不適合用于注入層，因為它的工藝復雜而且在刻蝕過程中可能導致基片損壞。

4、通過優(yōu)化刻蝕參數(shù)，獲得了側(cè)壁粗糙度和傳輸損耗相對較低的脊形波導。

5、本項研究是在分析比較現(xiàn)有各種鍍鐵工藝的基礎(chǔ)上，采用了一種新的無刻蝕鍍鐵及其復合鍍工藝。

6、應用感應耦合等離子體技術(shù)首次實現(xiàn)了對銻化銦薄膜的干法刻蝕。

7、目前，刻蝕技術(shù)已經(jīng)成為集成電路生產(chǎn)中的標準技術(shù)，干法刻蝕設(shè)備亦成為關(guān)鍵設(shè)備。

8、采用反應離子刻蝕，各向異性化學腐蝕及自限制熱氧化過程在襯底上制備出高質(zhì)量的超精細硅量子線。

9、由此解釋了無刻蝕鍍鐵層具有高結(jié)合強度的原因。

10、最后利用三維表面形貌儀，分別對濕法刻蝕和干法刻蝕的磁頭結(jié)構(gòu)進行了數(shù)據(jù)分析。

11、蘸水筆技術(shù)是近年來發(fā)展起來的一種新的掃描探針刻蝕加工技術(shù)，有著廣泛的應用前景。

12、衍射光學元件在制作過程中，存在掩模對準、線寬和刻蝕深度等制作誤差。

13、在器件中引入增益耦合機制以提高單模成品率，并采用感應耦合等離子體干法刻蝕技術(shù)以降低調(diào)制器電容。

14、與傳統(tǒng)濕法腐蝕比較，干法刻蝕具有各向異性、對不同材料選擇比差別較大、均勻性與重復性好、易于實現(xiàn)自動連續(xù)生產(chǎn)等優(yōu)點。

15、曲軸修理過程中進行曲軸剩余強度校核十分重要，結(jié)合董氏無刻蝕鍍鐵工藝修復十分可靠。文中以某輪曲軸修復為例，介紹了鍍鐵修復工藝及曲軸強度校核計算。

16、通過納米制備技術(shù)研究者在氮化硅中刻蝕出許多空洞以構(gòu)成所需圖案，使得波導具有合適的隱形折射率。

17、本發(fā)明過孔的制備過程工藝簡單，操作性比通過刻蝕的方法方便，降低了工藝成本。

18、該器件采用一次深刻蝕與一次淺刻蝕，從而屏蔽掉“靜態(tài)鏡面”的影響。

19、對這種結(jié)構(gòu)的形變特性進行了實驗測試，考慮到測量誤差與濕法刻蝕造成膜表面的不平整因素，測實結(jié)果與模擬結(jié)果較為相符。

20、介紹了一種無刻蝕直流鍍鐵工藝。

21、運用相位掩模法刻蝕光纖光柵，該方法對光源的時間相干性和單色性要求較低，工藝簡單，成品率高。

22、列舉一些對本技術(shù)發(fā)展帶有突破性意義的里程碑，并敘述干法刻蝕技術(shù)在微電子學和光電子學等重要應用領(lǐng)域的作用。

23、等離子體低溫刻蝕是一種針對高深寬比結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)。

24、用電子束刻蝕法在晶片上鍍上納米級鋁層形成了電感器。

25、研究常壓等離子射流處理對羊毛織物正反面染色性的影響，從而探索常壓等離子射流刻蝕在織物中的滲透性。

26、田納西河刻蝕著坎伯蘭高原的東部邊緣。

27、對硅的干法刻蝕技術(shù)是現(xiàn)代半導體工業(yè)中非常重要的一項工藝。

28、通過對光刻工藝過程的研究，可為較好地控制正性光刻膠面形，制作微機械、微光學器件提供了參考依據(jù)，對微浮雕結(jié)構(gòu)的深刻蝕具有重要的指導意義。

29、本文以金屬刻蝕去膠腔為背景，簡述干刻清洗工藝開發(fā)和評價過程。

30、本發(fā)明公開了一種刻蝕停止層，包括在襯底上形成的含氮的碳化硅層，以及位于所述碳化硅層之上的氮化硅層。

31、通過深紫外光刻和感應耦合等離子刻蝕設(shè)備，制備了所設(shè)計的器件。 hAo86.com

32、你有信仰就年輕，疑惑就年老。有自信就年輕，畏懼就年老。有希望就年輕，絕望就年老。歲月刻蝕的不過是你的皮膚，但如果失去了熱忱，你的靈魂就不再年輕。